固态硬盘多少钱

商品介绍：采用3D NAND闪存颗粒，采用PCle 3.0四通道规格，支持NVMe 1.3技术标准，最高读取速度2100MB/s，最高写入速度1600MB/s，三年质保。

商品介绍：海康威视C2000 PRO固态硬盘是C2000的升级版，采用Phison E12主控，东芝3D TLC颗粒，256GB版读速3100MB/s，写速1300MB/s，512GB版读速3300MB/s，写速2100MB/s，1TB版读速3500MB/s，写速3000MB/s，256GB和512GB版的最大随机4K读取速度和写入速度比旧款C2000稍有提升，官方提供十年质保。

C2000 PRO 新版群联东芝版使用的是HIKVISION 定制SMI 2262EN主控、UNIC原厂 3D TLC颗粒，Speed&Stable双固件。

商品介绍：西数Black系列SN750固态硬盘采用M.2接口，2280规格，支持NVMe协议，采用64层3D NAND技术，共有250GB、500GB、1TB和2TB版本，其中除了250GB容量外，均带有定制散热片的版本。250GB版本顺序读写速度为3100MB/s,1600MB/s，寿命200TBW；500GB版本顺序读写速度为3470MB/s,2600MB/s，寿命300TBW；1TB版本顺序读写速度为3470MB/s,3000MB/s，寿命600TBW；2TB版本顺序读写速度为3400MB/s,2900MB/s，寿命1200TBW；质保时间5年。

商品介绍：采用新一代 PCe3.0 四通道规格，支持 NVMe 高速 技术标准，读取速度高达3500MB/s，写入速度高达 2000MB/s，加速载入工作游戏、缩短开机速度，有效提高系统响应能力。自带高端金属散热贴，覆盖主控与颗粒。3D NAND 优选颗粒在存储密度与可靠性上优于一般 2D 闪存，搭配主控出色的 LDPC 纠错机制，满足你对耐用与速度的双重追求。

商品介绍：TR200系列固态硬盘外观与OCZ的产品类似，外壳贴有装饰贴纸，相较于市场同类更吸引眼球。采用2.5英寸7mm超薄机身，SATA3 6G/s接口，内主控方案未知，搭载东芝最新64层3D TLC NAND闪存颗粒，可提供550MB/s读取和525MB/s写入，4K随机读取80000 IOPS，87000 IOPS写入。此外，TR200使用最新3D闪存技术进行设计，拥有高效电源管理，可以大幅降低设备用电，尤其笔电续航提升会非常明显。其他方面也包括完整的技术支持。

商品介绍：EXCERIA极至瞬速SATA SSD有240GB/480GB和960GB容量可选，采用自己TLC颗粒，走SATA3通道，最高550MB/s读取和540MB/s写入，4K随机读写分别为82000 IOPS和88000 IOPS。

TR200系列固态硬盘外观与OCZ的产品类似，外壳贴有装饰贴纸，相较于市场同类更吸引眼球。采用2.5英寸7mm超薄机身，SATA3 6G/s接口，内主控方案未知，搭载东芝最新64层3D TLC NAND闪存颗粒，可提供550MB/s读取和525MB/s写入，4K随机读取80000 IOPS，87000 IOPS写入。此外，TR200使用最新3D闪存技术进行设计，拥有高效电源管理，可以大幅降低设备用电，尤其笔电续航提升会非常明显。其他方面也包括完整的技术支持。

商品介绍：EXCERIA极至瞬速SATA SSD有240GB/480GB和960GB容量可选，采用自己TLC颗粒，走SATA3通道，最高550MB/s读取和540MB/s写入，4K随机读写分别为82000 IOPS和88000 IOPS。

TR200系列固态硬盘外观与OCZ的产品类似，外壳贴有装饰贴纸，相较于市场同类更吸引眼球。采用2.5英寸7mm超薄机身，SATA3 6G/s接口，内主控方案未知，搭载东芝最新64层3D TLC NAND闪存颗粒，可提供550MB/s读取和525MB/s写入，4K随机读取80000 IOPS，87000 IOPS写入。此外，TR200使用最新3D闪存技术进行设计，拥有高效电源管理，可以大幅降低设备用电，尤其笔电续航提升会非常明显。其他方面也包括完整的技术支持。

商品介绍：三星970EVO Plus采用三星新一代V-NAND技术和固件优化，拥有比970EVO更好的性能。970EVO Plus 的主控为三星Phoenix，闪存类型为三星 V-NAND 3-bit MLC，搭配智能TurboWrite技术，实现了速度的飞跃，相比970EVO可提升53%。970EVO Plus共有250GB，500GB和1TB三个版本。

250GB版本顺序读写速度可达3500MB/s，2300MB/s，512MB低功耗DDR4 SDRAM缓存，5年保修或150TBW有限保修；500GB版本顺序读写速度可达3500MB/s，3200MB/s，512MB低功耗DDR4 SDRAM缓存，5年保修或300TBW有限保修；1TB版本顺序读写速度可达3500MB/s，3300MB/s，1GB低功耗DDR4 SDRAM缓存，5年保修或600TBW有限保修。

商品介绍：760P SSD系列，同样采用64层3D TLC颗粒，M.2 PCIE X4方案，最高可提供3.2G/s读取，IOPS表现也非常出色，相比现有600P有了不小的提升，官方表示新一代64层3D TLC颗粒比市场竞品更先进，能耗表现抢眼，能满足高端游戏或工作站用户需求。

760P依旧采用常规M.2 2280规格，走PCIe 3.0 x4通道，主控规格未透露，128GB版本连续读写分别可达1640MB/s和650MB/s、4K读取105K IOPS、4K写入160K IOPS；256GB可提供3210MB/s和1315MB/s，4K随机读写分别为205K IOPS和265K IOPS；定位最高的512GB读写分别为3230MB/s和1625MB/s，4K随机读写分别为340K IOPS和275K IOPS，相比而言256GB版本更具性价比。

耐用性方面，128GB的擦写量是72TBW，平均无故障时间160万小时。写入寿命方面，128GB版本提供72 TBW，512GB可提供128TBW，承诺160万小时无故障运行寿命，提供5年质保。另外，intel还规划了1TB和2TB的大容量型号，同样会在1季度上市，官方表示会积极应战，抢占主流级大容量市场，可以预见接下来会有一大波大容量SSD的问世，相信依靠64层3D TLC颗粒的高性价比能为用户带来更多实惠。